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真空共蒸發(fā)在玻璃襯底上制備 CuInS2薄膜。研究不同Cu、In、S元素配比、不同熱處理?xiàng)l件對薄膜的結(jié)構(gòu)、化學(xué)計(jì)量比及光學(xué)性能的影響.實(shí)驗(yàn)結(jié)果給出:在元素配比中S的原子比x 選擇極為重要(實(shí)驗(yàn)選0.2≤x≤2),本實(shí)驗(yàn)Cu、In、S最佳原子比為1∶0.1∶1.2。用x(Cu)∶x(In)∶x(S)=1∶0.1∶1.2 原子比混合沉積的薄膜,經(jīng)400℃熱處理20min后,得到黃銅礦結(jié)構(gòu)的CuInS2薄膜,沿[112]晶向擇優(yōu)生長,平均晶粒尺寸為38.06nm;薄 膜表面致密平整,厚度為454.8nm,表面粗糙度為13nm;薄膜中元素的化學(xué)計(jì)量比為1∶0.9∶1.5,光學(xué)吸收系數(shù)達(dá)105cm-1,直接光學(xué)帶 隙1.42eV