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采用ECR微波等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的方法于C2H2/H2/Ar2等離子環(huán)境中在單晶Si(111)晶面上制備了不同厚度的DLC膜樣品,研究了薄膜的厚度隨沉積時(shí)間的變化及薄膜的硬度、內(nèi)應(yīng)力隨厚度的變化關(guān)系。結(jié)果表明,在沉積時(shí)間變化范圍內(nèi),厚度與沉積時(shí)間基本呈線性關(guān)系,沉積速率可達(dá)80nm/min;制備態(tài)樣品存在的內(nèi)應(yīng)力先隨厚度增加而增加,當(dāng)薄膜內(nèi)應(yīng)力超過(guò)某臨界值時(shí)將通過(guò)表面崩裂達(dá)到應(yīng)力松弛效果,XRD測(cè)得基底Si(111)峰位偏移先隨厚度增加而增加,隨后變化趨于平緩,表明薄膜表面崩裂后內(nèi)應(yīng)力維持在一定水平,但薄膜的硬度測(cè)量值受到表面崩裂程度影響。