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鈮酸鋰(LN)作為一種熱釋電材料,可以被用于制作光電探測(cè)器敏感單元的敏感層,但通常LN晶片厚度為0.5 mm,遠(yuǎn)大于光電敏感單元厚度的要求,所以需要用鍵合減薄及拋光技術(shù)對(duì)LN晶片進(jìn)行加工處理。本研究所用鍵合減薄技術(shù)主要包含:RZJ-304光刻膠鍵合、銑磨、拋光、剝離液剝離和丙酮清洗RZJ-304膠。利用該技術(shù)加工得到了面積為10 mm×10 mm,厚度為50μm,表面比較光滑,表面粗糙度為1.63 nm的LN晶片。LN晶片的熱釋電信號(hào)峰峰值在減薄拋光后為176 mV,是未經(jīng)處理時(shí)的4倍,滿足了熱釋電探測(cè)器敏感層的要求