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本文研究的Cu_2ZnSnS_4（CZTS）是最有發(fā)展前景的新型太陽能電池材料之一，其所含元素?zé)o毒且含量豐富，基于CZTS的太陽能電池理論轉(zhuǎn)換效率達(dá)32.2%。本文對CZTS薄膜及其異質(zhì)結(jié)器件的制備和性能進(jìn)行研究和探討。 利用了脈沖激光沉積（PLD）法及磁控濺射法制備了CZTS薄膜。利用PLD法在玻璃襯底上、在不同脈沖激光能量條件下制備一系列CZTS薄膜；利用磁控濺射法在室溫條件下、在玻璃襯底上沉積CZTS薄膜，并經(jīng)Ar氣氛保護(hù)、不同溫度的快速退火，制備了一系列的CZTS薄膜。利用X射線能量色散譜（EDS）、X射線衍射（XRD）、原子力顯微鏡（AFM）、紫外-可見-近紅外分光光度計(jì)（UV-VIS-NIR）等表征手段，對不同條件下制備CZTS樣品的薄膜化學(xué)組分、晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌、光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)進(jìn)行表征分析，得到制備高質(zhì)量CZTS薄膜的工藝條件。