采用直流反應(yīng)磁控濺射法 ， 在不同 Ｏ 不同濺射功率密度 （ 及不同 Ａ ｒ分壓比 （ １∶３、 １∶４ ２ ４、 ４ ０、 ４ ８Ｗ ｃ ｍ ２ ／ 熱處理溫度 （ 條件下制備出 Ｚ 研究 Ｏ 濺射功率及熱處理的最佳工藝 ， 對(duì)制備的 ４ ０ ０、 ８ ０ ０ ℃） ｎ Ｏ 晶種層 ， Ａ ｒ分壓比 、分析磁控 濺 射 相 關(guān) 工 藝 參 數(shù) 對(duì) 預(yù) 制 Ｚ 晶種層微觀形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行 Ｓ ＥＭ、 Ａ ＦＭ、 Ｘ Ｒ Ｄ 表征 ， ｎ Ｏ 晶 種 層 的 影 響 機(jī) 理， 發(fā)現(xiàn)在 Ｏ 濺射功率密度為 ４ 及８ Ａ ｒ分壓比為 １∶４， ０Ｗ ｃ ｍ ０ ０ ℃ 熱處理?xiàng)l件下制備的 Ｚ ｎ Ｏ 晶種層質(zhì)量最優(yōu)?
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作者
丁雨田,張楊,王璟,胡勇,陳小焱
期刊
蘭州理工大學(xué)學(xué)報(bào)
年份