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采用射頻磁控濺射技術(shù)，室溫下在PET 柔性襯底上沉積不同厚度的摻錫氧化銦( ITO) 薄膜，樣品的結(jié)構(gòu)、形貌和光電學(xué)性質(zhì)分別用X 射線衍射儀、原子力顯微鏡、分光光度計和Van der Pauw 方法測量． 實驗結(jié)果表明: 在其它參數(shù)不變的條件下，隨著濺射時間的增加薄膜的厚度增大，而薄膜的顆粒大小和表面粗糙度也隨之變大; 方塊電阻、電阻率隨樣品厚度的增加而減小，相應(yīng)的遷移率減少，載流子濃度變大． 當(dāng)樣品厚度為148 nm 時，樣品的方塊電阻為26. 5 Ω·□－ 1、遷移率為19. 1 cm2·V － 1·s － 1、載流子濃度為8. 43 × 1020 cm－ 3 ．