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介紹通過(guò)霧化供液方式進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的工作原理以及試驗(yàn)裝置設(shè)計(jì),通過(guò)霧化供液拋光工藝試驗(yàn)考察該方法的拋光效果,分析其材料去除機(jī)制。結(jié)果表明,霧化施液CMP方法的拋光漿料利用率高,在達(dá)到去除率為257.5 nm/min,表面粗糙度小于3.8 nm的拋光效果時(shí),霧化拋光液消耗量?jī)H為350 mL。霧化拋光材料去除機(jī)制是表面材料分子級(jí)氧化磨損去除,即通過(guò)拋光液中氧化劑的化學(xué)作用使表面原子氧化并弱化其結(jié)合鍵能,通過(guò)磨粒的機(jī)械作用將能量傳遞給表面分子,使表面分子的能量大于其結(jié)合鍵能而被去除。