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利用閉合磁場非平衡磁控濺射工藝制備出C摻雜型NiCr合金薄膜電阻材料,獲得了電性能優(yōu)于NiCr合金薄膜的NiCrC薄膜電阻材料.實驗結果表明:NiCr薄膜中摻雜C元素后,薄膜的擇優(yōu)取向由Ni(011)變?yōu)镹i(111);薄膜的缺陷和應力得以減小;薄膜中C元素具有類石墨性質.