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文章利用化學(xué)氣相沉積(CVD)擴(kuò)磷的方法,在單晶硅基底上進(jìn)行擴(kuò)磷工藝研究。采用X射線光電子能譜分析擴(kuò)磷硅基底,通過原子力顯微鏡觀察擴(kuò)磷時(shí)間和溫度對(duì)硅基底表面形貌的影響,并利用半導(dǎo)體特性測(cè)試儀研究擴(kuò)磷時(shí)間和溫度對(duì)硅基底I-V特性的影響。結(jié)果表明,擴(kuò)磷溫度和時(shí)間對(duì)硅基底的表面粗糙度和晶粒的平均尺寸影響較大,擴(kuò)磷時(shí)間越長(zhǎng)、溫度越高,硅基底的電學(xué)特性越明顯。