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采用電子束蒸發(fā)法,以高純CdS塊料為膜料在玻璃基底上制備了CdS薄膜。利用X射線衍射儀和原子力顯微鏡表征其晶體結(jié)構(gòu)和表面形貌,用四探針電阻測試儀和紫外可見分光光度計分析其電學及光學特性。結(jié)果表明,蒸發(fā)速率對薄膜結(jié)構(gòu)及特性有顯著影響,其中在蒸發(fā)速率為10?S-1制備的CdS薄膜均勻致密且其XRD衍射峰強度最大,薄膜的光電性能最好。這些CdS薄膜的光敏性達到7.7×102,其中亮電阻的最小值為1350Ω/□。

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作者

陳哲;董連和;王麗;孫艷軍;冷雁冰.

期刊

長春理工大學學報(自然科學版),1,115-118(2015)

年份