室溫下采用射頻磁控濺射粉末靶,在玻璃基底上制備了摻鋁氧化鋅/銀/摻鋁氧化鋅(AZO/Ag/AZO)三層透明導(dǎo)電薄膜。通過(guò)優(yōu)化中間銀層厚度,優(yōu)化了三層透明導(dǎo)電薄膜的光電性能。采用原子力顯微鏡和X射線衍射儀分別對(duì)薄膜的形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行檢測(cè)分析;采用紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)和霍爾效應(yīng)儀分別對(duì)薄膜的光電性能進(jìn)行檢測(cè)分析。結(jié)果表明,所制備的三層膜表面平整,顆粒大小錯(cuò)落均稱;三層膜呈現(xiàn)多晶結(jié)構(gòu),AZO層薄膜具有(002)擇優(yōu)取向的六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),Ag層薄膜具有(111)擇優(yōu)取向的立方結(jié)構(gòu);當(dāng)三層薄膜為AZO(20 nm)/Ag(12 nm)/AZO(20 nm)時(shí),在550 nm處的透光率為88%,方塊電阻為4.3Ω/□,電阻率為2.2×10-5Ω·cm,載流子濃度為2.8×1022/cm3,遷移率為10 cm2/(V·s),品質(zhì)因子為3.5×10-2Ω-1。
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作者
劉思寧;周艷文;吳川;吳法宇.
期刊
半導(dǎo)體技術(shù),40:12,937-943(2015)
年份