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利用脈沖激光沉積法在玻璃襯底上生長(zhǎng)、并經(jīng)Ar保護(hù)下快速退火制備SnS薄膜。利用X射線衍射、拉曼光譜、X射線能量色散譜、原子力顯微鏡、紫外-可見(jiàn)-近紅外分光光度計(jì)等表征手段,對(duì)不同條件（脈沖激光能量：90和140 rnJ;退火溫度：100~400℃）下制備SnS薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、化學(xué)組分、表面形貌、光學(xué)特性等進(jìn)行表征分析。結(jié)果表明：脈沖激光能量為140mJ、退火溫度為300℃時(shí)所制備的SnS薄膜結(jié)晶質(zhì)量良好、擇優(yōu)取向生長(zhǎng)良好、成分接近理想配比（Sn：S=1：1.03）、光吸收系數(shù)為10~5 cm~（-1）量級(jí)。