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利用射頻磁控濺射法在室溫下沉積了GST 相變薄膜，利用XＲD、AFM 對其結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征，原位XＲD 及DSC 測試確定其結(jié)晶溫度．( 原位) XＲD 測試表明，室溫下沉積的GST 薄膜為非晶態(tài)，且在室溫～375 ℃溫度范圍內(nèi)，樣品經(jīng)歷了非晶態(tài)→立方晶態(tài)→六方晶態(tài)相轉(zhuǎn)變; 通過原位XＲD 和DSC 測試確定的GST 薄膜的結(jié)晶溫度一致，為～150 ℃．