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采用熱蒸發(fā)鍍膜方法制備Mg2-xMnxSi（原子比x=0.00,0.02,0.04,0.06,0.08）半導(dǎo)體薄膜.用X射線衍射儀（XRD）、原子力顯微（AFM）對(duì)Mg(2-xMnxSi薄膜樣品的晶體結(jié)構(gòu)和表面形貌進(jìn)行表征,用四探針儀測(cè)試樣品的電阻率,研究Mn摻雜量對(duì)Mg2Si薄膜結(jié)構(gòu)和電阻率的影響.結(jié)果表明,在Si（111）襯底上制備Mg(2-xMnxSi多晶薄膜,其衍射峰（220）、（200）和（111）隨Mn含量的增加逐漸增強(qiáng).當(dāng)x=0.02-0.06時(shí),制備的Mg(2-xMnxSi薄膜具有較低的平均粗糙度和RMS（Root Mean Square）粗糙度.Mn摻雜降低了Mg2Si薄膜的電阻率,且電阻率隨著摻雜量的增加呈現(xiàn)下降趨勢(shì).