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采用射頻磁控濺射法分別在不同濺射功率下制備了HfO2薄膜，基于該組薄膜實(shí)現(xiàn)了金屬－ 絕緣體－ 金屬( MIM) 電容器原型器件。采用Ｒaman、原子力顯微鏡( AFM) 、掃描電子顯微鏡( SEM) 、X 射線光電子能譜學(xué)( XPS) 和電學(xué)測(cè)試儀等分析手段，研究了濺射功率對(duì)薄
膜微結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性的影響。測(cè)試結(jié)果表明，隨著濺射功率的增加，HfO2薄膜由無(wú)定形態(tài)向單斜晶相轉(zhuǎn)化、顆粒尺寸逐漸增大、Hf—O 鍵結(jié)合度增強(qiáng)，由于提高濺射功率導(dǎo)致了薄膜晶化、團(tuán)簇和Hf—O 結(jié)合能減小，使MIM 電容器擊穿電壓降低，漏電流呈現(xiàn)先降后增。結(jié)果表明濺射功率為150 W 時(shí)，HfO2薄膜獲得較好的電學(xué)性能。