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利用低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD),在單晶Si襯底上制備多晶Si薄膜。利用原子力顯微鏡觀察薄膜厚度和鍍膜溫度對多晶Si薄膜表面形貌的影響,并利用XRD研究退火溫度對多晶Si薄膜結(jié)晶性能的影響。結(jié)果表明:鍍膜溫度越高、薄膜越厚,薄膜的晶粒尺寸越大;退火溫度越高,薄膜的結(jié)晶越好