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利用射頻磁控濺射法并經(jīng)快速退火處理制備Cu₂SnS₃薄膜,研究了使用SnS₂、Cu₂S混合靶（摩爾比分別為1∶1、1∶1.5、1∶2）及在不同濺射功率（40和80W）條件下所制備Cu₂SnS₃薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、物相組成、化學(xué)組分、表面形貌和光學(xué)特性。結(jié)果表明:混合靶的SnS₂、Cu₂S最佳摩爾比為1∶1.5,利用該靶所制備薄膜均結(jié)晶;在濺射功率為80 W條件下,所制備薄膜結(jié)晶質(zhì)量和擇優(yōu)取向度高,應(yīng)變最小,Cu∶Sn∶S摩爾比為1.89∶1∶2.77,平均顆粒直徑和平均粗糙度分別為332和0.742 nm,吸收系數(shù)達到10⁴cm^-1,禁帶寬度為1.32 eV。制備了n-Si/p-CTS異質(zhì)結(jié)器件,器件具有良好的整流特性和光電流響應(yīng)特性。