国产成人亚洲精品无码青app,白丝紧致爆乳自慰喷水,国产疯狂女同互磨高潮在线观看,jizzjizz少妇亚洲水多

高純Sn和S粉按1∶0.41(質量分數,%)配比,均勻摻入9(質量分數,%)的高純Zn粉,單源共蒸發(fā)沉積薄膜后再進行熱處理,得到Sn2S3∶Zn薄膜。XRD分析顯示,380℃,55min熱處理得到簡單正交晶系的純Sn2S3 薄膜。摻Zn(9(質量分數,%))的薄膜
經370℃熱處理15min得到的薄膜仍屬簡單正交晶系。摻Zn后Sn2S3 薄膜的表面均勻和致密性變好,平均晶粒尺寸從未摻Zn 時的35.69nm 增加到58.80nm。Sn2S3 薄膜的導電類型均為N 型,摻Zn后薄膜的電阻率為6.05×101(Ω·cm),比未摻雜時降低1個數量級。Sn2S3 薄膜的直接光學帶隙為1.85eV,本征吸收邊為551nm;Sn2S3∶Zn(9%,質量分數)薄膜
的光學帶隙1.41eV,本征吸收邊873nm 發(fā)生紅移,Sn2S3 薄膜的光吸收系數均達到105cm-1