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采用反應磁控濺射法在Si（111）襯底上沉積了AlN 薄膜。XRD 分析表明，在5 種溫度下，AlN 均以（100）
面取向，襯底溫度的提高有利于薄膜結(jié)晶性的改善，在600℃以上時AlN 中Al—N0 鍵斷裂，僅出現(xiàn)（100）衍射峰。
AFM 分析顯示，在600℃時平均晶粒尺寸90 nm，Z 軸最高突起僅為23 nm。