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一個(gè)萬用的金屬器官的化學(xué)蒸汽免職(MOCVD ) 系統(tǒng)被設(shè)計(jì)并且構(gòu)造。銅電影在硅(100 ) 上被扔由用 Cu (hfac ) 2 的化學(xué)蒸汽免職(CVD ) 的底層作為一位先鋒。由 Cu (hfac ) 2 的 H 2 減小的硅底層上的 Cu 原子核的生長被原子力量顯微鏡學(xué)和掃描電子顯微鏡學(xué)學(xué)習(xí)。Cu 原子核的生長模式是開始 Volmer 網(wǎng)模式(島) ，然后到 Stranski-Rastanov 模式(加島的 layer-by-layer ) 的變換。硅(100 ) 上的 Cu 成核的機(jī)制底層被 X 光檢查光電子進(jìn)一步調(diào)查光譜學(xué)。從 Cu2p， O1s， F1s， Si2p 模式，觀察 C=O，哦并且 CF 3 /CF 2 應(yīng)該屬于 Cu (hfac ) 2 的熱分