采用金屬有機(jī)化合物氣相沉積(MOCVD)兩步生長法在自持化學(xué) 氣相沉積(CVD)金剛石厚膜的成核面上制備ZnO薄膜, 并研究了薄膜的生長特性和電學(xué)特性. 結(jié)果表明, 在基片溫度為600 ℃時沉積得到的ZnO薄膜表面均勻, 取向較一致, 為c軸取向生長. 其載流子遷移率為3.79 cm2/(V·s).
論文下載
作者
孫劍,白亦真,楊天鵬,孫景昌,杜國同
期刊
吉林大學(xué)學(xué)報(理學(xué)版)
年份