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根據(jù)磁場對帶電粒子的約束原理，本文采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積技術(shù)(PECVD)技術(shù)借助于磁場約束電子以提高氣體分子的離解率達到提高薄膜沉積 速率的目的。在實驗中以六甲基二硅氧烷和氧氣的混合氣體來沉積氧化硅薄膜。通過變化放電功率和放電時間來研究薄膜的結(jié)構(gòu)和阻隔性的關(guān)系。采用紅外光譜研究 沉積薄膜的結(jié)構(gòu)成分，測試結(jié)果表明薄膜成分主要為二氧化硅。采用透氧分析儀（OTR）來測量薄膜的阻隔性能，OTR 結(jié)果表明聚酯有機基材上沉積氧化硅薄膜后阻隔性能大大提高。阻隔性從原膜的135cc/m2.day 降低至0.349 cc/m2.day。同時SEM 和 AFM 表面形貌分析表明了薄膜的生長是以柱狀方式生長，氧化硅層的結(jié)構(gòu)為迷津結(jié)構(gòu)并含有一定的缺陷，這可能是導(dǎo)致透氧透氣的主要原因。