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采用射頻磁控濺射法在氧氬比為0.2的混合氣氛中,分別在室溫、 100℃、200℃、250℃、300℃、350℃和400℃溫度下,在P-Si(100)襯底上制備了HfO2薄膜,并用SEM、XRD和AFM研究了 襯底溫度與薄膜沉積速率對微結構的影響.結果表明:隨著襯底溫度的增加,薄膜沉積速率呈減小趨勢.室溫沉積的HfO2薄膜為非晶態(tài),當襯底溫度高于 100℃,薄膜出現(xiàn)單斜晶相,隨著襯底溫度繼續(xù)增加,(111)擇優(yōu)取向更加明顯,晶粒尺寸增大,薄膜表面粗糙度減小.