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?在Si襯底上用脈沖激光沉積法生長(zhǎng)C軸取向高度一致的ZnO納米薄膜.實(shí)驗(yàn)制備ZnO納米結(jié)構(gòu),其顆粒尺寸的控制是關(guān)鍵.通過(guò)改變襯底溫度(400～700℃)和沉積時(shí)間,獲得不同的ZnO納米結(jié)構(gòu).SEM觀(guān)察,在600℃時(shí)顆粒均勻且間隔明顯,且該薄膜結(jié)構(gòu)為不連續(xù)膜,這與其他襯底溫度下所形成的薄膜結(jié)構(gòu)有很大差異.XRD顯示,600～700℃結(jié)晶良好.