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在不同的基臺脈沖負偏壓下,利用微波-ECR等離子體化學氣相沉積技術在單晶硅表面制各了類金剛石薄膜,利用傅立葉變換紅外吸收光譜和原子力顯微鏡對薄膜的結構和形貌進行了表征,最后對薄膜的摩擦系數(shù)進行了測試。結果表明:制備的薄膜具有典型的含H類金剛石結構特征,薄膜致密均勻,表面粗糙度很小。隨著負偏壓的增大,紅外光譜中2800cm~(-1)～3000cm~(-1)波段的C-H伸縮振動吸收峰的強度先升高后降低,并在負偏壓為200V時達到最大;薄膜的摩擦系數(shù)而是先降低再升高,在負偏壓為200V時達到最小