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　室溫下,結(jié)合正交實(shí)驗表,用射頻磁控濺射在滌綸(PET) 非織造布基材上生長AZO(Al2O3 :ZnO) 納米結(jié)構(gòu)薄膜。采用四探針測量儀測試AZO 薄膜的方塊電阻,用原子力顯微鏡(AFM) 分析薄膜微結(jié)構(gòu);通過正交分析法對實(shí)驗L9 (33)AZO 薄膜的性能指標(biāo)進(jìn)行分析。實(shí)驗結(jié)果表明:濺射厚度對AZO 薄膜導(dǎo)電性能起主導(dǎo)作用,其次為氬氣壓強(qiáng)和濺射功率;同時,得出制AZO 薄膜的最佳工藝為:濺射功率150W、厚度100m和氣壓012Pa ,該參數(shù)下樣品的方塊電阻為11633 ×103Ω ,AZO 納米顆粒
的平均直徑約為6914nm。