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采用電子束蒸發(fā)在不同基片溫度下沉積ZnS薄膜,研究了基片溫度對薄膜性能的影響。結果表 明:不同基片溫度下沉積的ZnS薄膜均呈多晶狀態(tài),為體心立方(閃鋅礦)結構的β-ZnS,并具有明顯的(111)面擇優(yōu)取向,導電類型為n型。隨著成膜 時基片溫度的提高,薄膜結晶度越來越好,透過率增大,載流子濃度增大,而電阻率減小