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采用感應(yīng)耦合等離子體刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)了不同形狀和幾何參數(shù)的規(guī)則織構(gòu)化硅片表面的構(gòu)筑與制備。主要以三種典型的規(guī)則織構(gòu)包括圓柱狀、圓坑狀和溝槽狀表面為研究對象,系統(tǒng)考察了織構(gòu)形狀和幾何參數(shù)對表面潤濕行為的影響規(guī)律。研究結(jié)果表明:隨著織構(gòu)高度、深度和表面覆蓋率的增加,規(guī)則織構(gòu)化硅片表面疏水性能增強(qiáng),規(guī)則織構(gòu)化表面疏水性能隨著表面粗糙度的增加而增強(qiáng)。不同的幾何形貌對硅片表面接觸角的影響強(qiáng)度是不同的,相對于柱狀與溝槽狀織構(gòu),坑狀織構(gòu)在較小的表面粗糙度時(shí)可得到較大的接觸角。當(dāng)表面的接觸角均為101°時(shí),坑狀、柱狀、溝槽狀織構(gòu)的表面粗糙度分別為16.2 nm,29.2 nm和70.2 nm。