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針對(duì)非晶硅和有機(jī)薄膜晶體管的低遷移率問題,以高純Zn為靶材,反應(yīng)磁控濺射沉積、且在不同溫度下退火的ZnO薄膜作為半導(dǎo)體活性層,成功地制備出基于ZnO材料的薄膜晶體管(ZnO-TFT),研究了退火溫度對(duì)ZnO-TFT電特性的影響.結(jié)果表明:ZnO-TFT的載流子遷移率隨退火溫度的升高而明顯增大,700℃退火的樣品遷移率為8.00cm2/(V.s),閾值電壓隨退火溫度的升高而明顯減小,在較高溫度下退火處理制備的ZnO-TFT呈現(xiàn)出較低的關(guān)態(tài)電流.結(jié)合X射線衍射譜、原子力顯微鏡和X射線光電子能譜對(duì)ZnO薄膜的微結(jié)構(gòu)及組分的分析,發(fā)現(xiàn)ZnO-TFT性能隨退火溫度升高的改善來源于退火溫度的升高使ZnO薄膜的晶粒尺寸增大且更均勻、外形更規(guī)整、表面更光滑,氧含量更少