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利用反應(yīng)射頻磁控濺射技術(shù)，首次利用氧化銅作為濺射靶，在氮?dú)夂蜌鍤獾幕旌蠚夥障拢苽涑觯螕诫s的Ｃｕ２Ｏ薄膜。通過(guò)改變沉積溫度，研究了氮摻雜Ｃｕ２Ｏ薄膜的結(jié)構(gòu)特征和生長(zhǎng)模式以及光學(xué)特性。研究結(jié)果表明低溫沉積時(shí)，薄膜表現(xiàn)為比較強(qiáng)的（１００）織構(gòu)；隨著沉積溫度增加到５００℃，薄膜逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)椋ǎ保保保┛棙?gòu)，沉積溫度增加導(dǎo)致的臨界成核自由能的增加是決定薄膜織構(gòu)特征的重要因素；原子力顯微鏡分析發(fā)現(xiàn)不同沉積溫度的薄膜表面形貌的空間標(biāo)度指數(shù)α＞１，屬于表面擴(kuò)散支配的薄膜生長(zhǎng)機(jī)制；薄膜表面形貌的空間標(biāo)度指數(shù)和關(guān)聯(lián)長(zhǎng)度隨沉積溫度的變化與薄膜織構(gòu)度之間存在明顯的關(guān)聯(lián)；不同溫度沉積的氮摻雜Ｃｕ２Ｏ薄膜的禁帶寬度為（２．５２±０．０３）ｅＶ。