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采用多靶磁控共濺射技術(shù),利用高純度Al,Mg和B單質(zhì)靶材為濺射源,室溫下在單晶Si(100)表面上成功制備了低摩擦系數(shù)的非晶態(tài)Al-Mg-B硬質(zhì)薄膜.通過改變Al/Mg混合靶體積配比及靶材濺射功率來調(diào)控薄膜成分,最終制備的Al-Mg-B薄膜成分接近AlMgB_(14)相的元素成分比,其Vickers硬度約為32 GPa.XRD及HR-TEM分析表明.制備的薄膜均為非晶態(tài)XPS測(cè)試表明薄膜內(nèi)部存在B-B及Al-B單鍵;FTIR進(jìn)一步測(cè)試表明,在波數(shù)1100 cm~(-1)處出現(xiàn)較為明顯的振動(dòng)吸收峰,證明制備的薄膜中含有B_(12)二十面體結(jié)構(gòu),這也是薄膜具有超硬性的主要原因.薄膜摩擦磨損測(cè)試表明薄膜摩擦系數(shù)在0.07左右.