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采用磁控濺射法制備以AlN和Al2O3為不同過渡層的ZnO薄膜,研究不同過渡層對ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)、形貌及電學(xué)性能影響。結(jié)果表明,以AlN和Al2O3兩種過渡層制備的ZnO薄膜依然呈C軸擇優(yōu)取向,而以AlN為過渡層的X射線衍射峰的2θ角更接近ZnO體材料的衍射峰位,且粗糙度更小,晶粒呈圓球密堆結(jié)構(gòu),膜面更光滑,結(jié)晶更致密