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文章利用化學(xué)氣相沉積(CVD)擴磷的方法,在單晶硅基底上進行擴磷工藝研究。采用X射線光電子能譜分析擴磷硅基底,通過原子力顯微鏡觀察擴磷時間和溫度對硅基底表面形貌的影響,并利用半導(dǎo)體特性測試儀研究擴磷時間和溫度對硅基底I-V特性的影響。結(jié)果表明,擴磷溫度和時間對硅基底的表面粗糙度和晶粒的平均尺寸影響較大,擴磷時間越長、溫度越高,硅基底的電學(xué)特性越明顯。