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由于銻化鎵（GaSb）表面存在著大量的氧化物及懸掛鍵，使得材料具有較高的表面態(tài)密度，這將導(dǎo)致GaSb費(fèi)米能級(jí)釘扎，嚴(yán)重限制了其器件的應(yīng)用和發(fā)展。同時(shí)，這些氧化物及懸掛鍵將構(gòu)成非輻射復(fù)合中心，影響表面發(fā)光。本文通過(guò)酸性飽和S2Cl2溶液（最優(yōu)鈍化時(shí)間為5s）對(duì)n型GaSb進(jìn)行表面鈍化后發(fā)現(xiàn)：該溶液鈍化可有效減少GaSb表面的氧化物及懸掛鍵，改善光學(xué)性質(zhì)。從理論上分析了S2Cl2溶液的鈍化機(jī)理，同時(shí)利用PL、PL mapping、XPS及AFM等測(cè)試手段驗(yàn)證了該分析的準(zhǔn)確性。另外，與常規(guī)的堿性（NH4）2S溶液（最優(yōu)鈍化時(shí)間為180s）對(duì)比，發(fā)現(xiàn)經(jīng)S2Cl2鈍化后樣品的單點(diǎn)發(fā)光強(qiáng)度是（NH4）2S溶液處理過(guò)的樣品1.5倍，是未處理樣品的25倍。但S2Cl2溶液中含有較高的硫濃度，操作時(shí)不宜控制，極易腐蝕GaSb表面，鈍化后樣品表面有大量單質(zhì)S析出，其發(fā)光均勻性及表面平整度不如（NH4）2S溶液。