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熱蒸發(fā)制備Zn摻雜SnS2薄膜,研究不同Zn含量及熱處理條件對薄膜的物相結(jié)構(gòu)、表面形貌和光電性能的影響。實驗給出用Sn∶S=1∶1.08(wt)混合粉末沉積的薄膜,經(jīng)380℃、15min熱處理后得到簡單正交晶系的SnS2薄膜;9(wt%)摻Zn后的薄膜熱處理條件為370℃、20min。Sn、S和Zn分別以正4價、負2價和正2價存在于薄膜中。SnS2薄膜的直接光學帶隙為2.12eV,摻Zn后為2.07eV;薄膜的電阻率從未摻Zn時的4.97×102Ω.cm降低到2.0Ω.cm,下降了兩個數(shù)量級,所有SnS2薄膜導電類型均為N型。