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?用射頻磁控濺射法在快速熱處理過的Pt／Ti/SiO2/Si（100）基體上制備了 Ba0.7sr0.3TiO3薄膜。通過引入濺射因子α，在相同工藝條件（高溫大功率濺射）下，對靶材成分進行調(diào)整，使薄膜成分無化學(xué)計量比偏離。薄膜成 相較未調(diào)整前有顯著改善，低角區(qū)的衍射雜峰消失。{100}方向有擇優(yōu)生長，同體材料及sol-gel法制備的BST薄膜有明顯不同，研究認(rèn)為是成分調(diào)整 后，薄膜成分無偏離所致。