?用射頻磁控濺射法在快速熱處理過(guò)的Pt/Ti/SiO2/Si(100)基體上制備了 Ba0.7sr0.3TiO3薄膜。通過(guò)引入濺射因子α,在相同工藝條件(高溫大功率濺射)下,對(duì)靶材成分進(jìn)行調(diào)整,使薄膜成分無(wú)化學(xué)計(jì)量比偏離。薄膜成 相較未調(diào)整前有顯著改善,低角區(qū)的衍射雜峰消失。{100}方向有擇優(yōu)生長(zhǎng),同體材料及sol-gel法制備的BST薄膜有明顯不同,研究認(rèn)為是成分調(diào)整 后,薄膜成分無(wú)偏離所致。
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作者
謝波瑋,古宏偉,古宏偉
期刊
稀有金屬
年份