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采用微波電子回旋共振等離子體增強磁控濺射(microwave electron cyclotron resonance plasmaenhancedmagnetron sputtering，ECＲ-PEMS) 和電子回旋共振等離子體輔助化學氣相沉積(microwave electroncyclotron resonance chemical vapor deposition，ECＲ-CVD) 技術(shù)，分別在單晶硅片(100) 基底上低溫制備了多晶硅薄膜． 采用拉曼光譜儀、X 射線衍射儀以及原子力顯微鏡對薄膜微觀結(jié)構(gòu)及表面形貌進行表征，研究純氦等離子體基底前期處理對所沉積薄膜性能的影響． 結(jié)果表明，氦等離子體前處理技術(shù)能大幅提高多晶硅薄膜結(jié)晶度和顆粒尺寸，明顯改善ECＲ-CVD 法所得多晶硅薄膜的微觀結(jié)構(gòu)特性和表面形貌．