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采用直流的反應(yīng)磁控濺射技術(shù),以高純石墨為濺射靶材和CH4為反應(yīng)氣體,調(diào)節(jié)CH4流量,在p（100）單晶硅和不銹鋼基底上成功制備出系列的含氫a-C：H薄膜.利用場發(fā)射掃描電子顯微鏡（FESEM）、原子力顯微鏡（AFM）、Raman光譜、納米壓痕儀、CSM劃痕測試儀、摩擦磨損試驗(yàn)機(jī)等測試手段對所制備含氫a-C：H薄膜的微結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能和摩擦磨損行為進(jìn)行系統(tǒng)表征.結(jié)果表明：隨著CH4流量的增加,含氫a-C：H薄膜的致密度呈現(xiàn)出微弱的先增加后減小的趨勢;薄膜的沉積速率隨著CH4流量的增加逐漸增加,但增幅呈現(xiàn)出逐漸減小趨勢;隨著CH4流量的增加,薄膜中sp-3雜化鍵含量及其納米硬度和楊氏模量也呈現(xiàn)出先增加后減小的規(guī)律;摩擦實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明當(dāng)CH4流量為8 sccm,所制備的含氫a-C：H薄膜的摩擦學(xué)性能最佳,摩擦系數(shù)為0.20,磨損率為6.48×10^-7mm^3/（N·m）.