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選用二氧化硅拋光液拋光4H導電SiC晶片表面,探究影響SiC晶片表面質(zhì)量的關鍵參數(shù),獲得更高的去除效率和表面質(zhì)量。實驗結果表明,SiC表面的氧化是氫氧根離子和雙氧水共同作用的結果。保持壓力不變并增加氫氧根離子或雙氧水的含量,SiC表面去除速率先增加后保持不變。在更大的壓力下增加氫氧根離子的含量,SiC表面的拋光去除速率進一步增加。通過優(yōu)化的拋光參數(shù),SiC表面的拋光去除速率達到142 nm/h。進一步研究結果表明,保持化學機械拋光過程中氧化作用與機械作用相匹配,是獲得高拋光效率和良好的表面質(zhì)量的關鍵。表面缺陷檢測儀(Candela)和原子力顯微鏡(AFM)的測試結果表明,SiC拋光片表面無劃痕,粗糙度達到0.06 nm。外延后總缺陷密度小于1個/cm2,粗糙度達到0.16 nm。