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利用射頻磁控濺射法在玻璃基片上制備了Cu2ZnSnS4（CZTS）薄膜，薄膜在室溫下生長，再在Ar 氣氛中快速退火。通過X 射線衍射、X 射線電子能譜、原子力顯微鏡和吸收譜研究了退火溫度對薄膜結(jié)構(gòu)、組分、形貌和禁帶寬度的影響。結(jié)果表明，所制備樣品為Cu2ZnSnS4 多晶薄膜，具有較強的沿(112)晶面擇優(yōu)取向生長的特點，薄膜組分均為富S 貧Cu，樣品表面形貌比較均勻。退火溫度為350，400，450 和500 ℃的薄膜樣品的禁帶寬度分別是1.49，1.53，1.51 和1.46 eV。