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采用掃描隧道顯微鏡(STM) 在p2nitrobenzonitrile(PNBN) 單體有機薄膜上進行信息記錄點的寫
入研究。通過在STM針尖和高定向裂解石墨(HOPG) 襯底之間施加一系列的電壓脈沖進行信息記錄
點的寫入,得到了一個信息點點徑小于1nm, 對應(yīng)存儲密度高達1013 bitPcm2 的信息存儲點陣。電流
- 電壓( I - V) 曲線表明,薄膜上非信息點存儲區(qū)域是高電阻區(qū),而信息點存儲區(qū)域是導(dǎo)電區(qū),具有0
-1 信息存儲特性。PNBN單體有機薄膜的存儲機制可能是規(guī)則排列的PNBN分子在強電場作用下由
有序向無序的轉(zhuǎn)變,使得薄膜的電阻由高阻態(tài)向低阻態(tài)轉(zhuǎn)變,從而實現(xiàn)信息點的寫入。