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本論文利用真空鍍膜方法在云母片上生長(zhǎng)半金屬Bi 薄膜,測(cè)量了薄膜生長(zhǎng)厚度與電阻之間的關(guān)系,并用原子力顯微鏡(AFM) 研究了云母表面半金屬薄膜電阻變化與薄膜粗糙度間的關(guān)系。生長(zhǎng)初始階段,薄膜先形成孤立的三維小島(典型高度1 nm ,直徑10 nm ,間距10 nm) ,隨后互相聚結(jié)形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),薄膜不導(dǎo)通( R ≥20 MΩ) ,粗糙度隨膜厚增加而減小。當(dāng)?shù)刃Ш穸萪 = 1. 74 nm時(shí),薄膜導(dǎo)通( R ≤13 MΩ) ,薄膜的形貌變?yōu)橛行】锥吹倪B續(xù)狀結(jié)構(gòu),粗糙度在此厚度附近達(dá)到最小值然后又增大。隨著薄膜繼續(xù)生長(zhǎng),連續(xù)狀結(jié)構(gòu)的厚度增加,薄膜電阻隨之迅速減小,當(dāng)d ≥2. 4 nm時(shí)薄膜電阻趨近于穩(wěn)定值2kΩ。