利用離子束濺射沉積技術,設計三元復合靶,直接制備CuInSe_2(CIS)薄膜.通過X射線衍射儀(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)和分光光度計檢測在不同襯底溫度和退火溫度條件下制備的CIS薄膜的微結構、表面形貌和光學性能.實驗結果表明:使用離子束濺射沉積技術制備的CIS薄膜具有黃銅礦結構,在一定的條件下,適當溫度的熱處理可以制備結構緊密、顆粒均勻、致密性和結晶性良好的CIS薄膜,具有強烈的單一晶向生長現(xiàn)象.
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作者
范平;鄭壯豪;張東平;梁廣興;蔡興民;汝麗麗;李紅奕
期刊
真空科學與技術學報
年份