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摘要: 采用射頻共濺射方法制備了NixZn1 - xO( x = 0. 78、0. 72、0. 68) 薄膜。薄膜有非晶相和少量的NiO 結(jié)晶相的存在。樣品都具有明顯的室溫鐵磁性,退火后( TA = 803 K) Ni0. 78Zn0. 22O 薄膜的飽和磁化強(qiáng)度Ms可達(dá)65 emu/cm3 ,對應(yīng)單個(gè)Ni 離子磁矩大于0. 13 μB。低溫下制備態(tài)薄膜都出現(xiàn)了電阻率極小值的現(xiàn)象,這是由于樣品發(fā)生了金屬-絕緣體轉(zhuǎn)變。

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作者

王鋒;黃鵬飛

期刊

人工晶體學(xué)報(bào)

年份