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利用恒電位電化學沉積方法在IT O 導電玻璃基底上制備了納米ZnO 薄膜, 并利用原子力 顯微鏡進行了形貌表征。結果顯示, 當沉積電壓為0. 8 V 時, 經(jīng)過30 min 的沉積在基底上形成了由規(guī) 則排列的三角形ZnO 晶粒構成的納米薄膜。對晶粒的形成機理進行了初步的討論。