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用直流／射頻反應(yīng)磁控共濺射法分別在玻璃和單晶硅片基底上制備VOx薄膜和W摻雜VO。薄膜，經(jīng)退火后，對(duì)薄膜進(jìn)行電阻一溫度特性、XRD、表面形貌等測(cè)試。結(jié)果表明：當(dāng)濺射氣壓為1．5Pa、氧氬比為0-8：25sccm、V靶采用100W直流電源、W靶10W射頻電源共濺射制備的w摻雜VO。薄膜，經(jīng)Ar氣氛中450℃退火2h后，薄膜相變溫度由未摻雜時(shí)的68℃降低到40℃左右。XRD衍射結(jié)果表明部分W原子進(jìn)入了VOx晶格；另外單晶硅片上制備的VOx薄膜的電阻溫度系數(shù)和電阻值均大于玻璃基片上制備的薄膜。