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以磨料白炭黑、氧化劑H2O2、有機堿三乙醇胺、分散劑聚乙二醇為原料,通過正交設(shè)計的方法配制一系列拋光液,通過四甲基氫氧化銨調(diào)節(jié)拋光液的pH值為12,然后在研磨拋光機上對銅片進行超聲波精細霧化化學機械拋光（CMP）。對拋光盤轉(zhuǎn)速與材料去除率的關(guān)系進行了研究,并對傳統(tǒng)拋光和霧化拋光效果進行了對比。試驗結(jié)果表明,分散劑、白炭黑、有機堿、氧化劑對拋光去除率的影響依次減弱。隨著拋光盤轉(zhuǎn)速的增加,霧化拋光的去除率經(jīng)歷了先緩慢增加、再急劇增加、后緩慢增加的變化過程。在同等的試驗條件下,傳統(tǒng)拋光的去除率為223 nm/min,銅片表面粗糙度為7.93 nm,霧化拋光去除率和銅片表面粗糙度分別為125 nm/min和3.81 nm;雖然去除率略有不及前者,但拋光液用量僅為前者的十幾分之一