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使用MOCVD工藝在單晶硅襯底(111)面上異質(zhì)外延六方GaN.利用光學(xué)顯微鏡、原子力顯微鏡(AFM)、掃面電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)及Raman光譜儀等多種分析方法對薄膜樣品的結(jié)構(gòu)、形貌和光學(xué)性能進(jìn)行表征和分析.測試結(jié)果表明:得到的晶體為六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),主要晶面為( 0002),且異質(zhì)外延的GaN晶體質(zhì)量良好,定向性好,表面光滑無裂縫.外延膜GaN中E2(高支)聲子模和A1(LO)聲子模的拉曼峰相對于弛豫狀態(tài)時(shí)發(fā)生了紅移,說明GaN受到了張應(yīng)力；而Si的AO聲子模的拉曼峰相對于本征頻率發(fā)生了藍(lán)移,說明Si受到了壓應(yīng)力