負(fù)向電壓對(duì)微弧氧化陶瓷膜形成有極其重要的影響。電解液組成變化時(shí),負(fù)向電壓也必須作相應(yīng)調(diào)整,才能確保微弧氧化過程的穩(wěn)定和氧化膜的質(zhì)量。在含mSiO2·nH2O的KOH復(fù)合電解液中,在負(fù)向電壓60~140 V的條件下對(duì)ZAlSi12Cu2Mg1合金進(jìn)行微弧氧化。采用電渦流測(cè)厚儀、SEM和XRD對(duì)陶瓷膜進(jìn)行表征,研究了負(fù)向電壓對(duì)厚度、表面形貌、相組成及耐磨性的影響。結(jié)果表明:隨著負(fù)向電壓增大,膜厚增加,膜層中有顯微裂紋存在;負(fù)向電壓為120 V時(shí),膜厚達(dá)到186.7μm,耐磨性好。膜層主要由Mullite及α-Al2O3相組成,但衍射譜中α-Al2O3相峰強(qiáng)較高
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作者
劉彩文;劉向東
期刊
熱加工工藝
年份